На мероприятието Flash Memory Summit (FMS) 2023 компанията SK hynix първа в индустрията показа образец на флаш памет с над 300 слоя. Компанията все още не е завършила докрай своята нова и много по-плътна памет, но обещава да направи това през следващата година, за да бъде пусната на пазара през 2025 г.
Чиповете 321-слойна флаш памет са базирани на 3-битови клетки (TLC). Капацитетът на една микросхема ще е 1 Тbit. Съвременната 238-слойна 3D NAND на компанията има двойно по-малък капацитет – 512 Gbit. Преходът към 321 слоя ще увеличи количеството памет от всяка силициева пластина с 59%.
SK hynix съобщи за разработката на 300-слойна памет през март тази година на конференцията ISSCC 2023. От показаните тогава документи се вижда, че микросхемите на компанията ще получат подобрена архитектура и увеличен брой линии, както и малко видоизменени сигнали за управление и програмиране. В съвкупност това ще позволи да се увеличи пропускателната способност на 3D NAND паметта от 164 МВ/s до 194 MB/s. Ще нарасне и енергийната ефективност заради по-високата плътност на записа.
Освен това, SK hynix обяви, че паралелно с разработката на 300-слойна памет е започнала разработката на интерфейси от следващо поколение, а именно PCIe 6.0 и UFS 5.0. Последният ще се използва в дисковете с 300-слойни микросхеми, и не само.